IGBT 和 FET

IGBT – N沟道MOSFET – P沟道MOSFET

安森美半导体提供绝缘门双极晶体管(IGBT)，结型场效应晶体管(JFET)，N沟道、P沟道及互补型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及自保护MOSFET。

绝缘门双极晶体管 (IGBT) (42)

参数表

绝缘门双极晶体管(IGBT)

安森美半导体提供绝缘门双极晶体管(IGBT)，用于电子点火、闪光、电机驱动及其它大电流开关应用。

技术文档及设计资源

培训教材 (1) 参考手册 (1)

应用注释 (16) 数据表 (48)

仿真模型 (20) 封装图纸 (5)

JFETs (30)

参数表

N沟道和P沟道结场效应管(JFET)

安森美半导体提供结场效应管(JFET)，用于射频(RF)、混频和斩波电路。

技术文档及设计资源

仿真模型 (45) 封装图纸 (2)

数据表 (44)  

MOSFETs (544)

参数表

N沟道、P沟道和互补MOSFET

安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，用于电源转换和开关电路。

新产品介绍: MOSFETs (4)

技术文档及设计资源

设计及开发工具 (5) 数据表 (742)

设计注释 (1) 封装图纸 (58)

应用注释 (44) 评估板文档 (21)

仿真模型 (1665) 评估板 (5)

保护 MOSFETs (17)

参数表

SMARTDISCRETES

安森美半导体提供自我保护MOSFET，可能包含限流、限温、ESD保护或电流镜。