AFGY100T65SPD
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
（专注销售安森美电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：AFGY100T65SPD制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：120A电流-集电极脉冲(Icm)：300A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，100A功率-最大值：660W开关能量：5.1mJ（开），2.7mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：109nC25°C时Td（开/关）值：36ns/78ns测试条件：400V，100A，5 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：105ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3AFGY100T65SPD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
