BU323Z
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：TO-218-3
技术参数：TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218
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参数详情：
制造商产品型号：BU323Z制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个产品系列：-零件状态：停产晶体管类型：NPN - 达林顿电流-集电极(Ic)（最大值）：10A电压-集射极击穿（最大值）：350V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：1.7V @ 250mA，10A电流-集电极截止（最大值）：100μA不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：500 @ 5A，4.6V功率-最大值：150W频率-跃迁：2MHz工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-218-3BU323Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
