ECH8690-TL-H
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SMD，扁平引线
技术参数：MOSFET N/P-CH 60V ECH8
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参数详情：
制造商产品型号：ECH8690-TL-H制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N/P-CH 60V ECH8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 和 P 沟道FET功能：逻辑电平栅极，4V 驱动漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.7A，3.5A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 2A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：955pF @ 20V功率-最大值：1.5W工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SMD，扁平引线ECH8690-TL-H的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
