EFC4618R-P-TR
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：4-XBGA，4-FCBGA
技术参数：MOSFET 2N-CH EFCP1818
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参数详情：
制造商产品型号：EFC4618R-P-TR制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET 2N-CH EFCP1818系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：2 N 沟道（双）共漏FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）：-25°C时电流-连续漏极(Id)：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25.4nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-功率-最大值：1.6W工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：4-XBGA，4-FCBGAEFC4618R-P-TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
