FAM65HR51DS2
制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:-
技术参数:IGBT MODULE 650V 33A 135W
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参数详情:
制造商产品型号:FAM65HR51DS2制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)描述:IGBT MODULE 650V 33A 135W系列:晶体管 - IGBT - 模块零件状态:有源IGBT类型:-配置:半桥逆变器电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):33A功率-最大值:135W不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):-电流-集电极截止(最大值):-不同?Vce时输入电容(Cies):4.86nF @ 400V输入:标准NTC热敏电阻:无工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:-FAM65HR51DS2的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。