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FAM65HR51DS2
  • 制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
  • 类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:-
  • 技术参数:IGBT MODULE 650V 33A 135W
  • (专注销售安森美电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:FAM65HR51DS2
  • 制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)
  • 描述:IGBT MODULE 650V 33A 135W
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 配置:半桥逆变器
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):33A
  • 功率-最大值:135W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):-
  • 电流-集电极截止(最大值):-
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):4.86nF @ 400V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:无
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:-
  • FAM65HR51DS2的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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