FDC6561AN
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
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参数详情：
制造商产品型号：FDC6561AN制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：PowerTrench?零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.5A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：95 毫欧 @ 2.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.2nC @ 5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：220pF @ 15V功率-最大值：700mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6FDC6561AN的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
