FDD3510H
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
技术参数：MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
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参数详情：
制造商产品型号：FDD3510H制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：PowerTrench?零件状态：有源FET类型：N 和 P 沟道，共漏FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：80V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.3A，2.8A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 4.3A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：800pF @ 40V功率-最大值：1.3W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252ADFDD3510H的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
