FDD86113LZ
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：D-PAK（TO-252）
技术参数：MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
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参数详情：
制造商产品型号：FDD86113LZ制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.2A（Ta），5.5A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：104 毫欧 @ 4.2A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：285pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），29W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D-PAK（TO-252）FDD86113LZ的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
