FDFMA3P029Z
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：6-MicroFET（2x2）
技术参数：MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
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参数详情：
制造商产品型号：FDFMA3P029Z制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：3.3A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：87 毫欧 @ 3.3A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10VVgs（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：435pF @ 15VFET功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：6-MicroFET（2x2）FDFMA3P029Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
