FDI030N06
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：I2PAK（TO-262）
技术参数：MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
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参数详情：
制造商产品型号：FDI030N06制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.2 毫欧 @ 75A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：151nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9815pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：231W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I2PAK（TO-262）FDI030N06的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
