FDMA908PZ
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：6-MicroFET（2x2）
技术参数：MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
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参数详情：
制造商产品型号：FDMA908PZ制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.5 毫欧 @ 12A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：34nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3957pF @ 6VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.4W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：6-MicroFET（2x2）FDMA908PZ的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
