FDMB506P
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-MLP，MicroFET（3x1.9）
技术参数：MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
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参数详情：
制造商产品型号：FDMB506P制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.8A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 6.8A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2960pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.9W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-MLP，MicroFET（3x1.9）FDMB506P的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
