FDMD8430
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerWDFN
技术参数：FET ENGR DEV-NOT REL
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参数详情：
制造商产品型号：FDMD8430制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：FET ENGR DEV-NOT REL系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：PowerTrench?零件状态：停产FET类型：2 N 沟道（双）共源FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Ta），95A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.12 毫欧 @ 28A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：90nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5035pF @ 15V功率-最大值：2.1W（Ta），29W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerWDFNFDMD8430的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
