FDS2672
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SOIC
技术参数：MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
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参数详情：
制造商产品型号：FDS2672制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：UltraFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：200V25°C时电流-连续漏极(Id)：3.9A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：70 毫欧 @ 3.9A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：46nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2535pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-SOICFDS2672的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
