FDS8960C
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
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参数详情：
制造商产品型号：FDS8960C制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：PowerTrench?零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：35V25°C时电流-连续漏极(Id)：7A，5A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 7A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.7nC @ 5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：570pF @ 15V功率-最大值：900mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）FDS8960C的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
