FDS9958
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
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参数详情：
制造商产品型号：FDS9958制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：PowerTrench?零件状态：有源FET类型：2 个 P 沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.9A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：105毫欧 @ 2.9A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1020pF @ 30V功率-最大值：900mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）FDS9958的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
