FDWS9508L_F085
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-PQFN（5x6）
技术参数：MOSFET P-CH 40V 80A 8PQFN
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参数详情：
制造商产品型号：FDWS9508L_F085制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET P-CH 40V 80A 8PQFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.9 毫欧 @ 80A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：107nC @ 10VVgs（最大值）：±16V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4840pF @ 20VFET功能：-功率耗散（最大值）：214W（Tj）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-PQFN（5x6）FDWS9508L_F085的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
