FGA30T65SHD
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
技术参数：IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
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参数详情：
制造商产品型号：FGA30T65SHD制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：90A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A功率-最大值：238W开关能量：598μJ（开），167μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：54.7nC25°C时Td（开/关）值：14.4ns/52.8ns测试条件：400V，30A，6 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：31.8ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3FGA30T65SHD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
