FGD2N40L
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：IGBT 400V 7A 29W DPAK
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参数详情：
制造商产品型号：FGD2N40L制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 400V 7A 29W DPAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：400V电流-集电极(Ic)（最大值）：7A电流-集电极脉冲(Icm)：29A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.6V @ 2.4V，2.5A功率-最大值：29W开关能量：-输入类型：逻辑栅极电荷：11nC25°C时Td（开/关）值：47ns/650ns测试条件：300V，2.5A，51欧姆，4V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63FGD2N40L的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
