FGD3N60LSDTM-T
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：INTEGRATED CIRCUIT
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参数详情：
制造商产品型号：FGD3N60LSDTM-T制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：INTEGRATED CIRCUIT系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：6A电流-集电极脉冲(Icm)：25A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 10V，3A功率-最大值：40W开关能量：250μJ（开），1mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：12.5nC25°C时Td（开/关）值：40ns/600ns测试条件：480V，3A，470 欧姆，10V反向恢复时间(trr)：234ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63FGD3N60LSDTM-T的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
