FGH50N6S2D
制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
技术参数:IGBT 600V 75A TO247-3
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参数详情:
制造商产品型号:FGH50N6S2D制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)描述:IGBT 600V 75A TO247-3系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:最後搶購IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):75A电流-集电极脉冲(Icm):240A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,30A功率-最大值:463W开关能量:260μJ(开),250μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:70nC25°C时Td(开/关)值:13ns/55ns测试条件:390V,30A,3 欧姆,15V反向恢复时间(trr):55ns工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3FGH50N6S2D的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。