FGH75T65SQDTL4
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-4
技术参数：650V FS4 TRENCH IGBT
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参数详情：
制造商产品型号：FGH75T65SQDTL4制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：650V FS4 TRENCH IGBT系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：最後搶購IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：150A电流-集电极脉冲(Icm)：300A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A功率-最大值：-开关能量：307μJ（开），266μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：128nC25°C时Td（开/关）值：44ns/276ns测试条件：400V，18.8A，15 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：76ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-4FGH75T65SQDTL4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
