FGP10N60UNDF
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
技术参数：IGBT NPT 600V 20A TO220-3
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参数详情：
制造商产品型号：FGP10N60UNDF制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT NPT 600V 20A TO220-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：NPT电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：20A电流-集电极脉冲(Icm)：30A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，10A功率-最大值：139W开关能量：150μJ（开），50μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：37nC25°C时Td（开/关）值：8ns/52.2ns测试条件：400V，10A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：37.7ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3FGP10N60UNDF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
