FGY75T120SQDN
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 1200V 75A UFS
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参数详情：
制造商产品型号：FGY75T120SQDN制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 1200V 75A UFS系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：场截止电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：150A电流-集电极脉冲(Icm)：300A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，75A功率-最大值：790W开关能量：6.25mJ（开），1.96mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：399nC25°C时Td（开/关）值：64ns/332ns测试条件：600V，75A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：99ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3FGY75T120SQDN的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
