FGY75T95LQDT
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3 变式
技术参数：IGBT 950V 75A
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参数详情：
制造商产品型号：FGY75T95LQDT制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 950V 75A系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：950V电流-集电极(Ic)（最大值）：150A电流-集电极脉冲(Icm)：225A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.69V @ 15V，75A功率-最大值：453W开关能量：2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：663.3nC25°C时Td（开/关）值：52ns/496ns测试条件：600V，37.5A，4.7 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：259ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3 变式FGY75T95LQDT的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
