FMS6G10US60
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：25PM-AA
技术参数：IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA
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参数详情：
制造商产品型号：FMS6G10US60制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA系列：晶体管 - IGBT - 模块零件状态：停产IGBT类型：-配置：三相反相器电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：10A功率-最大值：66W不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A电流-集电极截止（最大值）：250μA不同?Vce时输入电容(Cies)：0.71nF @ 30V输入：三相桥式整流器NTC热敏电阻：是工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：25PM-AAFMS6G10US60的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
