FPF1C2P5MF07AM
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：F1 模块
技术参数：IGBT MODULE 620V 39A 231W F1
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参数详情：
制造商产品型号：FPF1C2P5MF07AM制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT MODULE 620V 39A 231W F1系列：晶体管 - IGBT - 模块零件状态：有源IGBT类型：-配置：全桥反相器电压-集射极击穿（最大值）：620V电流-集电极(Ic)（最大值）：39A功率-最大值：231W不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.6V @ 15V，30A电流-集电极截止（最大值）：25μA不同?Vce时输入电容(Cies)：-输入：单相桥式整流器NTC热敏电阻：无工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：F1 模块FPF1C2P5MF07AM的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
