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    FPF2C110BI07AS2
  • 制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
  • 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：30-DIP 模块
  • 技术参数：IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：FPF2C110BI07AS2
  • 制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）
  • 描述：IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 配置：半桥
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：40A
  • 功率-最大值：300W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，40A
  • 电流-集电极截止（最大值）：250μA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies)：-
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：是
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C
  • 安装类型：通孔
  • 封装：30-DIP 模块
  • FPF2C110BI07AS2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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