FPF2G120BF07ASP
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：模块
技术参数：IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
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参数详情：
制造商产品型号：FPF2G120BF07ASP制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT MODULE 650V 40A 156W F2系列：晶体管 - IGBT - 模块零件状态：停产IGBT类型：场截止配置：3 个独立式电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A功率-最大值：156W不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，40A电流-集电极截止（最大值）：250μA不同?Vce时输入电容(Cies)：-输入：标准NTC热敏电阻：是工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：模块FPF2G120BF07ASP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
