FQD19N10LTM
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：D-Pak
技术参数：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
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参数详情：
制造商产品型号：FQD19N10LTM制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：QFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：15.6A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 7.8A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：870pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D-PakFQD19N10LTM的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
