FQD1N60CTM
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：D-Pak
技术参数：MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
（专注销售安森美电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：FQD1N60CTM制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH 600V 1A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：QFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：1A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.5 欧姆 @ 500mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.2nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：170pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），28W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D-PakFQD1N60CTM的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
