FQU7P20TU
制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:I-PAK
技术参数:MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
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参数详情:
制造商产品型号:FQU7P20TU制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)描述:MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:QFET?零件状态:停产FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):200V25°C时电流-连续漏极(Id):5.7A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):690 毫欧 @ 2.85A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):770pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):2.5W(Ta),55W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:I-PAKFQU7P20TU的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。