HGT1N30N60A4D
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：SOT-227-4，miniBLOC
技术参数：IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B
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参数详情：
制造商产品型号：HGT1N30N60A4D制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B系列：晶体管 - IGBT - 模块零件状态：停产IGBT类型：-配置：单路电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：96A功率-最大值：255W不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，30A电流-集电极截止（最大值）：250μA不同?Vce时输入电容(Cies)：-输入：标准NTC热敏电阻：无工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOCHGT1N30N60A4D的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
