HGT1S14N36G3VLS
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT 390V 18A 100W TO263AB
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参数详情：
制造商产品型号：HGT1S14N36G3VLS制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 390V 18A 100W TO263AB系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：390V电流-集电极(Ic)（最大值）：18A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 5V，14A功率-最大值：100W开关能量：-输入类型：逻辑栅极电荷：24nC25°C时Td（开/关）值：-/7μs测试条件：300V，7A，25欧姆，5V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABHGT1S14N36G3VLS的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
