HGT1S20N36G3VL
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
技术参数：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
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参数详情：
制造商产品型号：HGT1S20N36G3VL制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：395V电流-集电极(Ic)（最大值）：37.7A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 5V，20A功率-最大值：150W开关能量：-输入类型：逻辑栅极电荷：28.7nC25°C时Td（开/关）值：-/15μs测试条件：300V，10A，25欧姆，5V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AAHGT1S20N36G3VL的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
