HGT1S7N60C3DS9A
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT 600V 14A 60W TO263AB
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参数详情：
制造商产品型号：HGT1S7N60C3DS9A制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 600V 14A 60W TO263AB系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：14A电流-集电极脉冲(Icm)：56A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，7A功率-最大值：60W开关能量：165μJ（开），600μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：23nC25°C时Td（开/关）值：-测试条件：480V，7A，50欧姆，15V反向恢复时间(trr)：37ns工作温度：-安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABHGT1S7N60C3DS9A的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
