HGTG40N60B3
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 600V 70A 290W TO247
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参数详情：
制造商产品型号：HGTG40N60B3制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 600V 70A 290W TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：最後搶購IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：70A电流-集电极脉冲(Icm)：330A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A功率-最大值：290W开关能量：1.05mJ（开），800μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：250nC25°C时Td（开/关）值：47ns/170ns测试条件：480V，40A，3 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3HGTG40N60B3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
