HGTG5N120BND
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT NPT 1200V 21A TO247-3
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参数详情：
制造商产品型号：HGTG5N120BND制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT NPT 1200V 21A TO247-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：不適用於新設計IGBT类型：NPT电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：21A电流-集电极脉冲(Icm)：40A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，5A功率-最大值：167W开关能量：450μJ（开），390μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：53nC25°C时Td（开/关）值：22ns/160ns测试条件：960V，5A，25 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：65ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3HGTG5N120BND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
