MCR08BT1G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：单个SCR，SOT-223
技术参数：THYRISTOR SCR 0.8A 200V SOT223
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参数详情：
制造商产品型号：MCR08BT1G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：THYRISTOR SCR 0.8A 200V SOT223系列：-电压 - 断态：200V电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：800mV电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）：200μA电压 - 通态 (Vtm)（最大值）：1.7V电流 - 通态 (It (AV))（最大值）：-电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）：800mA电流 - 保持 (Ih)（最大值）：5mA电流 - 断态（最大值）：10μA电流 - 不重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：8A @ 60HzSCR 类型：灵敏栅极工作温度：-40°C ~ 110°C安装类型：表面贴装产品封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223MCR08BT1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
