MJE800G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：TO-225AA，TO-126-3
技术参数：TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA
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参数详情：
制造商产品型号：MJE800G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个产品系列：-零件状态：有源晶体管类型：NPN - 达林顿电流-集电极(Ic)（最大值）：4A电压-集射极击穿（最大值）：60V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：2.5V @ 30mA，1.5A电流-集电极截止（最大值）：100μA不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：750 @ 1.5A，3V功率-最大值：40W频率-跃迁：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-225AA，TO-126-3MJE800G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
