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    MMBD354LT1G
  • 制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
  • 类别封装：二极管 - 射频，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 技术参数：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：MMBD354LT1G
  • 制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）
  • 描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
  • 系列：二极管 - 射频
  • 零件状态：有源
  • 二极管类型：肖特基 - 1 对共阴极
  • 电压-峰值反向（最大值）：7V
  • 电流-最大值：-
  • 不同?Vr、F时电容：1pF @ 0V，1MHz
  • 不同?If、F时电阻：-
  • 功率耗散（最大值）：225mW
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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