MMBFJ201_G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - JFET，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
技术参数：INTEGRATED CIRCUIT
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参数详情：
制造商产品型号：MMBFJ201_G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：INTEGRATED CIRCUIT系列：晶体管 - JFET零件状态：停产FET类型：N 通道电压-击穿(V(BR)GSS)：40V漏源电压（Vdss）：-不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss)：200μA @ 20V漏极电流(Id)-最大值：-不同Id时电压-截止(VGSoff)：300mV @ 10nA不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-电阻-RDS(On)：-功率-最大值：350mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3MMBFJ201_G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
