MMBT6427LT1G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
技术参数：TRANS NPN DARL 40V 500MA SOT23-3
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参数详情：
制造商产品型号：MMBT6427LT1G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：TRANS NPN DARL 40V 500MA SOT23-3系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个产品系列：-零件状态：有源晶体管类型：NPN - 达林顿电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA电压-集射极击穿（最大值）：40V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：1.5V @ 500μA，500mA电流-集电极截止（最大值）：1μA不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：20000 @ 100mA，5V功率-最大值：225mW频率-跃迁：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3MMBT6427LT1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
