MMBTH10RG
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 射频，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
技术参数：RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3
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参数详情：
制造商产品型号：MMBTH10RG制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频零件状态：停产晶体管类型：NPN电压-集射极击穿（最大值）：40V频率-跃迁：450MHz噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-增益：-功率-最大值：225mW不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：50 @ 1mA，6V电流-集电极(Ic)（最大值）：50mA工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3MMBTH10RG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
