MSD2714AT1G
制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
类别封装:晶体管 - 双极(BJT)- 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
技术参数:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59
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参数详情:
制造商产品型号:MSD2714AT1G制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频零件状态:停产晶体管类型:NPN电压-集射极击穿(最大值):25V频率-跃迁:650MHz噪声系数(dB,不同f时的典型值):-增益:-功率-最大值:225mW不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):90 @ 1mA,6V电流-集电极(Ic)(最大值):-工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3MSD2714AT1G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。