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MUN5113DW1T1G

制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）

类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置，封装：-

技术参数：TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

（专注销售安森美电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）

（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）

参数详情：

制造商产品型号：MUN5113DW1T1G

制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）

描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

零件状态：停产

晶体管类型：-

电流-集电极(Ic)（最大值）：-

电压-集射极击穿（最大值）：-

电阻器-基极(R1)：-

电阻器-发射极(R2)：-

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：-

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：-

电流-集电极截止（最大值）：-

频率-跃迁：-

功率-最大值：-

安装类型：-

封装：-

MUN5113DW1T1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。

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