MUN5212DW1T1
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置，封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
技术参数：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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参数详情：
制造商产品型号：MUN5212DW1T1制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置零件状态：停产晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA电压-集射极击穿（最大值）：50V电阻器-基极(R1)：22 千欧电阻器-发射极(R2)：22 千欧不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：60 @ 5mA，10V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA电流-集电极截止（最大值）：500nA频率-跃迁：-功率-最大值：250mW安装类型：表面贴装型封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363MUN5212DW1T1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
