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    N21C21ASNDT3G
  • 制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
  • 类别封装：存储器，产品封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 技术参数：IC EPROM 1KBIT 1-WIRE SOT23-3
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：N21C21ASNDT3G
  • 制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）
  • 描述：IC EPROM 1KBIT 1-WIRE SOT23-3
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：EPROM
  • 技术：EPROM - OTP
  • 存储容量：1Kb（128 x 8）
  • 存储器接口：1-Wire?
  • 时钟频率：-
  • 写周期时间-字，页：5μs
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：2.65V ~ 5.5V
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • N21C21ASNDT3G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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