NCD5703BDR2G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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参数详情：
制造商产品型号：NCD5703BDR2G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器包装：卷带（TR）,剪切带（CT）系列：-零件状态：有源驱动配置：半桥通道类型：单路驱动器数：1栅极类型：IGBT电压-供电：20V逻辑电压?-VIL，VIH：0.75V，4.3V电流-峰值输出（灌入，拉出）：7.8A，6.8A输入类型：非反相高压侧电压-最大值（自举）：-上升/下降时间（典型值）：9.2ns，7.9ns工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）安装类型：表面贴装型产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）NCD5703BDR2G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
